IEC 60749-38:2008

2008-02-12 /Vigente

Inglés, Bilingüe

This part of IEC 60749 establishes a procedure for measuring the soft error susceptibility of semiconductor devices with memory when subjected to energetic particles such as alpha radiation. Two tests are described; an accelerated test using an alpha radiation source and an (unaccelerated) real-time system test where any errors are generated under conditions of naturally occurring radiation which can be alpha or other radiation such as neutron. To completely characterize the soft error capability of an integrated circuit with memory, the device must be tested for broad high energy spectrum and thermal neutrons using additional test methods. This test method may be applied to any type of integrated circuit with memory device.

La présente partie de la CEI 60749 établit une procédure de mesure de la prédisposition aux erreurs logicielles des dispositifs à semiconducteurs à mémoire lorsqu'ils sont soumis à des particules énergétiques telles que le rayonnement alpha. Deux essais sont décrits: un essai accéléré utilisant une source de rayonnement alpha et un essai de système en temps réel (non accéléré) dans lequel toutes les erreurs sont générées dans des conditions de rayonnement se produisant naturellement: il peut s'agir du rayonnement alpha ou de tout autre rayonnement, neutronique par exemple. Pour une caractérisation complète de la capacité d'erreur logicielle d'un circuit intégré à mémoire, il faut que le dispositif soit soumis à un essai pour le spectre large à haute énergie et les neutrons thermiques en utilisant des méthodes d'essais complémentaires. Cette méthode d'essai peut être appliquée à tout type de circuit intégré qui possède un dispositif de mémoire.